英特尔:明年底推出10纳米 对7纳米制程研发进度满意
信息来源: http://emcmy.com 时间:2018/12/11 15:13:20
据台湾地区媒体援引Extreme Tech报道,英特尔工程长重申会在2019年底推出10纳米处理器,2020年供应给服务器市场。他还表示,10纳米和7纳米制程的研发团队是分开的,英特尔目前很满意7纳米制程的研发进度。
据报道,英特尔工程长Murthy Renduchintala在第39届纳斯达克投资人会议,详细谈到英特尔10纳米制程和7纳米制程的愿景。
即便10纳米制程一再难产,但原本设定的目标仍不变。Renduchintala指出,目前第三代14纳米处理器有显著的进步,更重要的是,2014年英特尔为10纳米制程设定的功耗、效能和晶体密度等目标依然不变。
英特尔也驳斥了7纳米研发受阻的传闻,Renduchintala特别强调,10纳米和7纳米制程的研发团队是分开的,可同时并进,不会互相干扰,所以7纳米制程科技也不会像10纳米制程延宕许久,英特尔目前很满意7纳米制程的研发进度,也从10纳米制程获得不少教训和经验。
英特尔7纳米制程将基于极紫外线(EUV)微影技术,至于英特尔的竞争对手超微(AMD)已经从12纳米跳到7纳米制程,预计2019年上半推出首款7纳米处理器,代号Rome。
铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
26材最为通行的材料,是一种成本效益最高的一般用途材料,适合功率转换和线路滤波等各种广泛用途. OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)2.000/50.8 1.250/31.8 1.000/25.4Al:…
铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%