三星5nm工艺再添新进度!该节点能扳回一城吗?
信息来源: http://emcmy.com 时间:2019/7/10 15:51:21
据AnandTech报道,三星晶圆代工厂5LPE(5 nm低功耗早期)工艺已经认证了Cadence和Synopsys的全流程工具,其5LPE工艺将使用极紫外光刻(EUV)技术。
三星晶圆代工厂使用Arm Cortex-A53和Arm Cortex-A57内核认证了用于5LPE工艺的Synopsys融合设计平台以及Cadence全流数字解决方案全流程设计工具。该认证意味着这些工具能够满足三星的要求,通过使用它们,芯片设计人员可以让5LPE工艺拥有最佳功率、性能和尺寸(PPA)优势。
三星的5LPE工艺依赖于具有新标准单元架构的FinFET晶体管,并使用DUV和EUV步进扫描系统。而且三星所有的7nm专利都能够应用到5LPE。因此,7nm客户过渡到5LPE将极大的降低成本,预先验证的设计生态系统,能够缩短他们5LPE产品的开发时间。
与7LPP相比,5LPE的“逻辑效率”提高了25%,芯片开发人员可将芯片设计的功耗降低20%,或将性能提高10%。
由三星认证的Candence和Synopsys的工具集包括编译器、验证器、电源电路优化器以及EUV专用工具。
相比于7LPP工艺,5LPE拥有更多的EUV层,预计它将用于三星即将在华城的EUV工厂。该生产线预计将耗资 6万亿韩元(46.15亿美元),将于今年完工,并于明年开始大批量生产。
值得一提的是,三星的竞争对手台积电已经宣布,计划在2020年第一季度将开始大规模生产5nm制程。三星也正致力于在明年量产其5nm工艺,力求在该工艺节点能够扳回一城。
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铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
26材最为通行的材料,是一种成本效益最高的一般用途材料,适合功率转换和线路滤波等各种广泛用途. OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)2.000/50.8 1.250/31.8 1.000/25.4Al:…
铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%