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　　三星电子和SK海力士已经将闪存芯片的堆叠层数增加至100层以上，并以此作为提高半导体收益的重要武器。最近，主要的智能手机制造商正在扩大高容量旗舰手机的产出，预计数据中心运营商也将在2019年下半年扩大对NAND的需求。

　　全球半导体设备制造商Ram Research在13日宣布，将为其产品组合增加“VECTOR DT”和“EOS GS”，这是针对高端NAND闪存大规模生产而优化的半导体设备解决方案。

　　Lam Research的VECTOR DT和EOS GS针对大规模生产96层或更高层的NAND闪存进行了优化，并提高了现有设备的产量。

　　换句话说，Ram Research产品组合的增加意味着三星电子和SK海力士正专注于高端NAND闪存业务，并专注于生产效率。

　　“我们的客户继续大幅增加存储单元的层数，因此RAM压力可能会超过光刻设备的极限，”Ram Research说。

　　此前针对三星电子和SK海力士的报道，NAND闪存市场的供需形势将从今年第三季度开始改善。

　　这是因为三星，苹果，华为和小米等主要智能手机制造商正在推出256千兆字节（GB）以上的高端手机版本，数据中心运营商也在购买高容量固态硬盘。

　　此外，由于6月份四日市东芝工厂停电导致NAND闪存总量减少，NAND闪存市场面临需求变化（价格上涨）。

　　事实上，根据市场研究公司Dram Exchange的数据，NAND闪存（128Gb MLC）固定交易价格从6月底的3.93美元上涨1.78％至7月底的4.01美元。

　　NH Investment＆Securities研究员Doh Hyun-woo表示，“东芝，SK海力士和美光在第二季度大幅减产2~20％。此外，随着东芝工厂受到日本地震的影响，闪存供应开始大幅放缓。我们预计第三季度将满足供需，第四季度需求将超过供给。”预计下半年NAND市场将有所改善。

　　闪存芯片创新工艺不断得到拓展。在企业级PC SSD应用上，三星电子开发了256Gb容量128层的高密度NAND闪存产品。今年下半年，该公司计划在智能手机应用上，推出堆叠层数达到100层以上的NAND闪存，进一步提高存储容量。

　　SK海力士目前拥有高密度的96层高容量NAND闪存，而且计划大规模生产128层高容量的NAND闪存。在明年上半年，该公司也计划为智能手机提供更高的存储容量。

　　业界人士表示，“半导体行业正专注于高端NAND闪存的大规模生产，因为预计下半年内存半导体市场将从NAND闪存中改善。”我们相信它将极大地促进解决供需失衡问题。”

　　同时，据市场研究公司IHS Markit称，三星电子今年第一季度以34.1％排名第一，东芝排名第二，占18.1％；西部数据排名第三，占15.4％；美光12.9%，SK海力士以9.6％排名第五。

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