智能音箱新品百花齐放 存储器规格同步拉升
信息来源: http://emcmy.com 时间:2018/12/25 11:57:14
智能音箱热销带动声势直升,也成为存储器设计供应商稳定出货的重要订单,2019年出货贡献预估将可持续扩大。
智能音箱销售掀起热潮,在消费性电子产品买气低迷之际,智能音箱跃居为圣诞假期最抢手的礼品,除了亚马逊(Amazon)、Google等大厂交锋激烈,国内品牌业者竞相加入战局,市场估计,2018年全球智能音箱出货将超过6,000万台,2019年将可望逼近1亿台,带动相关供应链出货火热。
2018年智能音箱新品开发风潮如火如荼,整体出货量持续呈现强劲成长,国际阵营的Google、微软、苹果(Apple)、三星电子(Samsung ElectronICs)也加入抢食商机,冲击亚马逊Echo系列产品的市占率下滑,不过年底消费旺季仍带动Echo出货供应不及。
而国内业者如京东、联想、阿里巴巴、小米等一线大厂都陆续推出智能音箱外,全球战况越趋激烈,各家大厂加码布局以抢占智能语音应用背后带动的庞大商机。
目前智能音箱的市场价格定位广泛,单一装置创造的产值贡献有限,然而随着智能家庭的趋势推波助澜下,智能音箱将可望与家庭自动化和物联网(IoT)系统进行延伸结合,并借着将智能音箱建构成为各类智能连网系统的枢纽装置,由于各家业者将陆续扩充在人工智能的附加功能,带动2019年智能音箱搭载存储器规格将进一步提升。
国内跃居为全球智能音箱第二大市场,据估计,2018年中国将有3,420万人使用智能音箱,而价格成为主要推动吸引力,包括阿里巴巴的天猫精灵、小米的小爱音箱与百度的小度智能音箱分别拿下市占前三名,并由台湾地区厂商华邦电、钰创、晶豪科等纷纷挤上一线品牌的供应链名单,并采用1Gb/2Gb的DDR3产品。
此外,由于智能音箱主要采取低容量NAND Flash规格,前三大智能音箱品牌均搭载1GB的SLC NAND,由台湾地区厂商旺宏、国内厂商江波龙以及东芝分别各据山头。
随着NAND Flash与DRAM在2018年下半各自面临价格压力,低容量的成本优势丧失,加上储存IC架构设计改变,2019年智能音箱改采取eMCP 嵌入式多芯片封装(embedded Multi Chip Package)将成为趋势,而搭载容量也将进一步增加,从低容量1GB SLC NAND将升级至6GB~8GB MLC NAND,DRAM产品虽然基于成本考量仍将采取标准型产品,但规格也可望搭配升级。
业界认为,近2年存储器供应吃紧,智能音箱市场快速崛起,加速了低容量SLC NAND供不应求的抢手程度,然而美中贸易战升级导致通讯标案进度延后、NAND市场价格竞争渐趋激烈,促使终端业者转移制程规格,而DDR3受到2018年挖矿热潮退去后,智能音箱热销带动声势直升,也成为存储器设计供应商稳定出货的重要订单,并看好2019年出货贡献将可持续扩大。
目前市场对于智能音箱市场规模预测各有不同数字,但相同的是看好此一产品应用将会呈现高幅度的双位数成长趋势,根据Canalys估计,2018年第3季全球智能音箱装置出货量达1,970万台,较2017年同期830万台,成长137%;而Deloitte则预期,智能音箱市场将在2019年市场价值将达到70亿美元,比2018年的43亿美元成长63%,成为史上成长最快的物联网装置
www.emcmy.com" target="_blank">蓝绿环</a> <a href="http://www.emcmy.com" target="_blank">2材</a> <a href="http://www.emcmy.com" target="_blank">红黑环</a> <a href="http://www.emcmy.com" target="_blank">www.emcmy.com</a></p>
铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
26材最为通行的材料,是一种成本效益最高的一般用途材料,适合功率转换和线路滤波等各种广泛用途. OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)2.000/50.8 1.250/31.8 1.000/25.4Al:…
铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%