三星不仅不会减产存储器,还要再建7nm EUV产线!
信息来源: http://emcmy.com 时间:2019/8/2 15:35:43
据韩媒BusinessKorea报道,三星一名高管昨日在第二季度财报电话会议上表示,日韩贸易战下,暂不考虑减少晶圆产出,未来还将再建一条7nm EUV产线。
三星方面表示,日本政府并不是完全禁止半导体材料出口,只是增添了新的许可申请流程,影响了三星的日常运营。日本政府未来究竟会怎么做,还是充满不确定性,目前难以估算对公司的影响,暂不考虑减少晶圆产出,生产线将弹性运作,以应对需求波动。
另外,三星高层透露,今年下半年库存将会下滑,但难以预测下降的速度有多快,因为外部环境仍有不确定因素。NAND闪存的库存也将开始大幅下降,预计将在第三季度回到正常水位。
针对近期存储器现货价上涨的趋势,三星高层表示,目前很难说是否会影响到长期的合约价。最新报告显示
而TrendForce最新报告显示,虽然存储器现货价上涨,但由于合约市场规模占整体DRAM交易市场九成以上,在供过于求仍未改善的情况下,7月合约价格依然走跌。
展望明(2020)年,三星高层表示,存储器设备的投资方案还在规划中,位于中国西安的厂房可望在今年底前竣工,韩国的平泽厂则会在明年底前完工。晶圆代工方面,华城厂的极紫外光(EUV)制程生产线预计明年上半年按时运作,另外未来还将打造一条7 nm EUV制程生产线和一条图像传感器生产线(S4)
铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
26材最为通行的材料,是一种成本效益最高的一般用途材料,适合功率转换和线路滤波等各种广泛用途. OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)2.000/50.8 1.250/31.8 1.000/25.4Al:…
铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%