ARM台积电合作完成全球第一个10nm工艺芯片
信息来源: http://emcmy.com 时间:2016/5/19 14:15:30
ARM今天宣布,已经与台积电合作完成了全球第一个基于10nm工艺的芯片的流片工作,而且使用了尚未宣布的顶级新架构“Artemis”。
事实上,这次流片早在2015年12月就完成了,ARM预计最近就能拿到从工厂返回的芯片。
这颗测试芯片将是ARM、台积电共同的测试平台,用来调试相关工具和制造工艺,从而在性能、功耗、面积方面获得最优成果。
芯片内集成了四个Artemis CPU核心,频率有1.82/2.34/2.49/2.7GHz等不同档次,同时还有当代Mali GPU,但只有一个核心,因为只是用来展示效果而已。
当然了,芯片内还有其他各种IP模块、IO接口,用来检验新工艺。
台积电这里使用的新工艺是10FF版本,号称晶体管集成度可比16nm提升最多2.1倍,还能获得11-12%的性能提升,或者在同频率下功耗降低30%。
台积电预计今年底投产10nm工艺,ARM Artemis架构也有望在近期正式发布,取代现在的Cortex-A72。
铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
26材最为通行的材料,是一种成本效益最高的一般用途材料,适合功率转换和线路滤波等各种广泛用途. OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)2.000/50.8 1.250/31.8 1.000/25.4Al:…
铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%