台积电5纳米工厂本周破土 3纳米工厂2020年开工
信息来源: http://emcmy.com 时间:2018/1/30 9:29:09
据台湾媒体报道,台积电将于本周在台湾南部科学工业园区(STSP)开工建设新的5nm工厂,并将于2020年启动3nm工厂,而新工艺的快速演进将大大巩固台积电一号代工厂的地位。台积电董事长张忠谋会出席奠基仪式,这也将是他在今年6月份退休之前,最后一次参加这类活动。
目前,台积电正在积极准备量产7nm,预计第二季度即可实现、第四季度火力全开。
更关键的是,台积电已经垄断了7nm代工市场,收获了100%的订单,包括高通骁龙855、苹果A12等重磅大单,彻底击败三星。
根据路线图,台积电将在2019年第一季度试产5nm,2020年投入量产。
同时,台积电已经针对3nm投入了几百名工程师和大量相关研发资源,预计2020年开始试产。
预计台积电3nm工厂将吸引各路投资大约7500亿台币(约合人民币1640亿元),其中台积电自己将投资5000-6000亿台币(约合人民币1100-1300亿元)。
另一方面,业界估计三星会积极研发4nm,以对抗台积电的5nm,但究竟孰优孰劣还不好说,毕竟这些年两家在工艺命名上,似乎有点太随意了。
Intel 10nm产品还没出来,有迹象表明需要延续三代产品才会进入7nm,那可能就是2021年的事儿了,然后再过三代才会是5nm。
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铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
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铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%