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　　目前，现有的CMOS半导体工艺正在逐步逼近物理极限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未来十年的计算时代中，CMOS工艺很有可能被新技术取代。

　　近日，英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件，这种常温量子材质制造的设备可以将芯片工作电压从3V减少到500mv，减少5倍，能耗降低10-30倍，而且运行速度也是CMOS工艺的5倍。

　　这项技术是英特尔、加州大学伯克利分校合作的，论文已经发表在《自然》杂志上，它所用的MESO是一种铋，铁和氧(BiFeO 3)组成的多铁材料，这种材料既有铁磁性又有铁电性，而且两种状态又有耦合性，改变一种就会影响另一种，操作电场就能改变磁场，这对研发MESO设备很有用。

　　这种材料最早是伯克利分校材料科学与工程和物理学教授Ramamoorthy Ramesh于2001年发现的，他也是这篇论文的高级作者，而MESO设备则是英特尔MESO项目硬件小组主管Sasikanth Manipatruni发明的，现在这个突破也是他们合作研究出来的。

　　根据伯克利发布的新闻，MESO逻辑器件的开关电压可以从3V降低到500mv，并预测可以降低到100mv，是目前CMOS晶体管所需开关电压的1/5到1/10，从1到0的切换能量仅为CMOS工艺的1/10到1/30。除了能耗上的优势，MESO逻辑器件的运算速度也比CMOS工艺高出5倍。

　　简单来说就是英特尔及伯克利大学合作的MESO逻辑器件为替代目前以晶体管为基础的CMOS工艺铺平了道路，新的MESO逻辑器件在性能及能耗上有极其明显的优势。当然了，这种新技术还在研发中，英特尔提到他们的目标是在未来十年中超越CMOS时代。

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